長(cháng)期回收Toshiba東芝邏輯IC

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該過(guò)程使用了對紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則。
通過(guò)控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。
在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì )溶解。
這時(shí)可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著(zhù)可用溶劑將其沖走。
這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。
這樣就得到我們所需要的化硅層。
摻加雜質(zhì)，將晶圓中植入離子，生成相應的P、N類(lèi)半導體。
具體工藝是從硅片上暴露的區域開(kāi)始，放入化學(xué)離子混合液中。
這一工藝將改變攙雜區的導電方式，使每個(gè)晶體管可以通、斷、或攜帶數據。
簡(jiǎn)單的芯片可以只用一層，但復雜的芯片通常有很多層，這時(shí)候將該流程不斷的重復，不同層可通過(guò)開(kāi)啟窗口聯(lián)接起來(lái)。
這一點(diǎn)類(lèi)似多層PCB板的制作原理。
更為復雜的芯片可能需要多個(gè)化硅層，這時(shí)候通過(guò)重復光刻以及上面流程來(lái)實(shí)現，形成一個(gè)立體的結構。