Nand-Flash的設計

     系統中所采用的Nand-Flash芯片是Samsung公司的K9F2808U。該器件存儲容量為16M×8位，除此之外還有512KX 8位的空閑存儲區。該器件采用TSSOP48封裝，工作電壓為2.7～3.6V。8位I/O端口采用地址、數據和命令復用的方法，這樣既可減少引腳數，又可使接口電路簡(jiǎn)捷。

由于A(yíng)RM系統沒(méi)有Nand-Flash控制所需要的CLE、ALE信號，因此需要利用ARM的通用GPIO口。具體的連接電路如圖7-3所示。

?命令鎖存使能(CLE)，使輸入的命令發(fā)送到命令寄存器。當變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，在WE上升沿命令通過(guò)I/O口鎖存到命令寄存器。

?地址鎖存使能(ALE)，控制地址輸入到片內的地址寄存器中，地址是在WE的上升沿被鎖存的。

?片選使能(CE)，用于器件的選擇控制。在讀操作、CE變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件返回到  備用狀態(tài)；然而，當器件在寫(xiě)操作或擦除操作過(guò)程中保持忙狀態(tài)時(shí)，CE的變高將被忽略，不會(huì )返回到備用狀態(tài)。

?寫(xiě)使能(WE)，用于控制把命令、地址和數據在它的上升沿寫(xiě)入到I/O端口；而在  讀操作時(shí)必須保持高電平。

?讀使能(RE)，控制把數據放到I/O總線(xiàn)上，在它的下降沿tREA時(shí)間后數據有效；同時(shí)使內部的列地址自動(dòng)加1。

?I/O端口，用于命令、地址和數據的輸入及讀操作時(shí)的數據輸出。當芯片未選中時(shí)，                I/O口為高阻態(tài)。
?工寫(xiě)保護(WP)，禁止寫(xiě)操作和擦除操作。當它有效時(shí)，內部的高壓生成器將會(huì )復位。

?準備/忙(R/B)，反映當前器件的狀態(tài)。低電平時(shí)，表示寫(xiě)操作或擦除操作以及隨機讀正進(jìn)行中；當它變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，表示這些操作已經(jīng)完成。它采用了開(kāi)漏輸出結構，在芯片未選中時(shí)不會(huì )保持高阻態(tài)。

3.3 Nor-F1ash/Nand-FIash跳線(xiàn)選擇

由于A(yíng)RM提供了Nand-Flash Boot-loader技術(shù)和可選擇的多種啟動(dòng)方式，因此硬件設計中同時(shí)設計了Nor-Flash和Nand-Flash，通過(guò)跳線(xiàn)選擇啟動(dòng)方式，