DDR3內存的發(fā)展

　　早在2002年6月28日，JEDEC就宣布開(kāi)始開(kāi)發(fā)DDR3內存標準，但從目前的情況來(lái)看，DDR2才剛開(kāi)始普及，DDR3標準更是連影也沒(méi)見(jiàn)到。不過(guò)目前已經(jīng)有眾多廠(chǎng)商拿出了自己的DDR3解決方案，紛紛宣布成功開(kāi)發(fā)出了 DDR3內存芯片，從中我們仿佛能感覺(jué)到DDR3臨近的腳步。而從已經(jīng)有芯片可以生產(chǎn)出來(lái)這一點(diǎn)來(lái)看，DDR3的標準設計工作也已經(jīng)接近尾聲。

　　半導體市場(chǎng)調查機構iSuppli預測DDR3內存將會(huì )在2008年替代DDR2成為市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，iSuppli認為在那個(gè)時(shí)候DDR3的市場(chǎng)份額將達到55%。不過(guò)，就具體的設計來(lái)看，DDR3與DDR2的基礎架構并沒(méi)有本質(zhì)的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發(fā)展所面臨的限制而催生的產(chǎn)物。

　　由于DDR2內存的各種不足，制約了其進(jìn)一步的廣泛應用，DDR3內存的出現，正是為了解決DDR2內存出現的問(wèn)題，具體有：

　　更高的外部數據傳輸率 

　　更先進(jìn)的地址/命令與控制總線(xiàn)的拓樸架構 

　　在保證性能的同時(shí)將能耗進(jìn)一步降低

　　為了滿(mǎn)足這些要求，DDR3內存在DDR2內存的基礎上所做的主要改進(jìn)包括：

　　8bit預取設計，DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

　　采用點(diǎn)對點(diǎn)的拓樸架構，減輕地址/命令與控制總線(xiàn)的負擔。 

　　采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。

DDR3內存的封裝

　　從規格來(lái)看，DDR3仍將沿用FBGA封裝方式，故在生產(chǎn)上與DDR2內存區別不大。但是由設計的角度上來(lái)看，因DDR3的起跳工作頻率在1066MHz，這在電路布局上將是一大挑戰，特別是電磁干擾，因此也將反映到PCB上增加模塊的成本。

　　預計在DDR3進(jìn)入市場(chǎng)初期，其價(jià)格將是一大阻礙，而隨著(zhù)逐步的普及，產(chǎn)量的提升才能進(jìn)一步降低成本。