ULTRACELL蓄電池UL1.3-12 12V1.3AH

技術(shù)特色(TECHNICAL FEATURES)

●密閉結構(Sealed Construction)
●電解液懸浮系統(Electrolyte Suspension System)
●氣體再組合(Gas Recombination)
●使用免保養(Maintenance-Free Operation)
●任何方向可使用(Operation In Any Position)
●低壓力排氣系統(Low Pressure Venting System)
●高負荷格子體(Heavy Duty Grids)
●低自行放電－長(cháng)保存壽命(Low Self Discharge-Long shelf Life)
●寬廣的溫度使用范圍(Broad Operating Temperature Range)
●高回復容量(High Recovery Capabillity)

Ultracel蓄電池應用(APPLICATIONS)

SHIMASTU電池是被設計應用在浮動(dòng)充電及循環(huán)充電使用，高重量能量密度結合了大小和形狀的寬廣選擇，讓電池在眾多應用下有合理的選擇，部分共同應用項目包括但不**于常備或主要電源如下:
●警報系統(Alarm Systems)
●有線(xiàn)電視(Cable Television)
●通信設備(Communications E)

歐姆定律創(chuàng )建之后,線(xiàn)性電阻(在恒定溫度時(shí)電阻數值不變或近似不變的)占用了“電阻”名稱(chēng),實(shí)際上,電阻的“非線(xiàn)性”也是用歐姆定律公式的計算結果來(lái)確認和表示的。
　　
　　非線(xiàn)性“阻性”參數的特性可用直觀(guān)的U和I兩座標面積中的曲線(xiàn)來(lái)表示,電阻的參數(R=U/I)就隱含其中。電感也有電壓和電流,電感的非線(xiàn)性為何不能用U、I曲線(xiàn)來(lái)表示。線(xiàn)性的含義也有多種,也需要區分。
ULTRACELL蓄電池UL1.3-12 12V1.3AH　　
　　(1)“電阻”原先就是“電參數名”
　　
　　電阻的物理意義是導電物體對通過(guò)電流的阻力大小?？捎脭抵祦?lái)表示,其單位是“歐姆”,因此“電阻”是“電參數名”。
　　
　　歐姆定律I=U/R,當時(shí)從線(xiàn)性電阻導出,測得電流正比于電壓,證明了當時(shí)被測試的電阻是常數;多少年來(lái)留下了非常深刻(而不全面)的普遍影響!
　　
　　(2)“器件名”與“電參數名”相混
　　
　?、佟熬€(xiàn)性”電阻“器件”的名稱(chēng),若稱(chēng)之為“電阻器”(例如:英文名字中的resistor),就可以與歐姆定律中的“電阻”(resistance)相區別;但在我國的技術(shù)發(fā)展過(guò)程中,習慣上(常在中文名詞中省掉了一個(gè)“器”字)?！昂?jiǎn)稱(chēng)”之為“電阻”,例如:線(xiàn)繞“電阻”,碳膜“電阻”;造成了與歐姆定律中電阻是“電參數名”的性質(zhì)相“混淆”;
　　
　?、谟秩菀渍`解成“線(xiàn)性”占有了“電阻”的全部范圍;
　　
　?、塾炙坪鯇ⅰ鞍雽w”器件的名稱(chēng)和性質(zhì)排除在“電阻”之外了!
　　
　?、苓@個(gè)現實(shí)難以改變!為避免誤解,用些補充意義的名稱(chēng),如:等效電阻、電阻性質(zhì)、阻性、……等;當應用歐姆定律或見(jiàn)到未加補充意義的“電阻”名稱(chēng)時(shí),只好各人自己隨時(shí)領(lǐng)會(huì )“器件名”與“電參數名”兩者的區別了!
　　
　　(3)“半導體”這個(gè)名稱(chēng)能說(shuō)明此類(lèi)器件具有“電阻”的性質(zhì)
　　
　?、倜Q(chēng)中含有“導體”兩字,衡量導體的導
　　
　　電性能的參數是“電導率”,“電阻”是“電導”的倒數,只是不同的表示方式,可見(jiàn)半導體是“電阻”性質(zhì)的材料;所以,用半導體材料做的器件,不論是線(xiàn)性或非線(xiàn)性都有“電阻”的性質(zhì),簡(jiǎn)稱(chēng)“阻性”;
　　
　?、谄毡閼玫木w二極管、晶體三極管(晶體表示有半導體的PN結),都是“非線(xiàn)性阻性”器件。文獻[2]對兩者的等效電阻參數都作了分析,如晶體三極管的輸入電阻、輸出電阻,并且都可分為直流電阻(即R=U/I)、微變(交流)電阻(即R=ΔU/ΔI);
　　ULTRACELL蓄電池UL1.3-12 12V1.3AH
　　高頻開(kāi)關(guān)電源及UPS設備中常用的MOSFET、IGBT等,其特性中含有“電阻”的參數。例如,MOSFET在開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)下導通時(shí),有通態(tài)電阻的性能[3]。
　　
　?、圻@些器件都具有“非線(xiàn)性”的“阻性”特性,但是,電阻的變化現象很繁雜時(shí),往往采用了較直觀(guān)的U、I特性曲線(xiàn)來(lái)表示,例如,引入便于計算的電流放大倍數β等參數。這樣,電阻參數常被隱蔽了(雖然不一定隨時(shí)注意,但是客觀(guān)存在的);