作為優(yōu)化，本實(shí)施例中所述箱體內部采用sus304型5.0mm厚的不銹鋼板制作附凹形鐵補強，箱體外部采用sus41型冷軋鋼板制作，外壁設置防靜電粉體烤漆，保護箱體。

44.作為優(yōu)化，所述箱體內部還設置有保溫結構(圖中未示出)，所述保溫結構包括保溫棉和隔熱板，所述保溫棉設置于所述箱體內壁上，所述隔熱板設置于所述保溫棉靠近所述箱體內壁的一側并通過(guò)耐高溫矽膠固定在箱體內部，所述保溫棉的厚度為90mm。

臺灣油升YEOSHE齒輪泵HGP-05A-F-03-R-X   HGP-05A-L-03-R-X    HGP-05A-F-03-L-X    HGP-05A-L-03-LX

臺灣油升YEOSHE齒輪泵HGP-05A-F-05-R-X   HGP-05A-L-05-R-X    HGP-05A-F-05-L-X    HGP-05A-L-05-LX

臺灣油升YEOSHE齒輪泵HGP-05A-F-08-R-X   HGP-05A-L-08-R-X    HGP-05A-F-08-L-X    HGP-05A-L-08-LX

臺灣油升YEOSHE齒輪泵HGP-05A-F-11-R-X   HGP-05A-L-11-R-X    HGP-05A-F-11-L-X    HGP-05A-L-11-LX

臺灣油升YEOSHE葉片泵：

1：VHO-F-08葉片泵、VHO-F-12葉片泵、VHO-F-15葉片泵、VHO-F-20葉片泵

2：VHI-F-30、VHI-F-40、VHI-F-40-A2 、VHI-F-30-A3

3：AHPF-30、AHPF-40、VR15-70、VR20-70、VR30-70、VR40-70

4：VP-15F-A3、VP-15-F/A1、VP-20F-A3、VP-20-F/A2、VP-30F-A3

5：VP-30-F/A3、VP-40F-A3、VP-40-F/A3、NVP-30-F/A2、NVP-40-F/A3 

6：VDP-15-70-60、VDP-20-70-60、VDP-SF-12、VDP-SF-20、VDP-SF-30-D

7：VDP-SF-40-D、VDP-SF-30-C、VDP-SF-40-B

8：VPC-FB-20、VPC-FB-30、VPC-FB-40、VPC-30-F-A1、VPC-30-F-A2

.本實(shí)施例所述的一種正負壓力固晶爐正常工作時(shí)，將半導體芯片以及半導體片材放入處理室內，控制面板控制真空泵工作，在緩沖罐的穩流作用下對處理室制造真空環(huán)境，真空環(huán)境可避免半導體芯片被氧化，隨后控制空壓機工作，控制面板控制空壓機和氮氣機工作，并控制電控三通閥將氮氣機與空壓機相連通，空壓機向箱體內部充氮氣，控制充氮氣的體積為箱體體積的60％～70％；再控制加熱器加熱使內部環(huán)境溫度為80℃，驅動(dòng)電機動(dòng)力輸出端帶動(dòng)風(fēng)輪轉動(dòng)將加熱器周?chē)臒釟獯抵涟雽w芯片上，防止將半導體芯片以及半導體片材粘結的銀膠固化；隨后再次控制空壓機工作將高壓氮氣通入箱體內，高壓氮氣將銀膠內的氣泡壓除清理，完成氣泡的清除工作；帶銀膠固化后在將內部環(huán)境加熱至150℃，保持2h的時(shí)間，使得銀膠的粘結更加穩定，半導體芯片的質(zhì)量更好；后通過(guò)水冷機構將箱體內部的溫度降至60℃，泄壓后完成工作。