根據溫度自動(dòng)自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）

　　為了保證所保存的數據不丟失，DRAM必須定時(shí)進(jìn)行刷新，DDR3也不例外。不過(guò)，為了的節省電力，DDR3采用了一種新型的自動(dòng)自刷新設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開(kāi)始ASR之后，將通過(guò)一個(gè)內置于DRAM芯片的溫度傳感器來(lái)控制刷新的頻率，因為刷新頻率高的話(huà)，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數據不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過(guò)DDR3的ASR是可選設計，并不見(jiàn)得市場(chǎng)上的DDR3內存都支持這一功能，因此還有一個(gè)附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh  Temperature）。通過(guò)模式寄存器，可以選擇兩個(gè)溫度范圍，一個(gè)是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個(gè)是擴展溫度范圍，比如到 95℃。對于DRAM內部設定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恒定的頻率和電流進(jìn)行刷新操作。

　　局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）

　　這是DDR3的一個(gè)可選項，通過(guò)這一功能，DDR3內存芯片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗。這一點(diǎn)與移動(dòng)型內存（Mobile DRAM）的設計很相似。

　　點(diǎn)對點(diǎn)連接（P2P，Point-to-Point）

　　這是為了提高系統性能而進(jìn)行了重要改動(dòng)，也是與DDR2系統的一個(gè)關(guān)鍵區別。在DDR3系統中，一個(gè)內存控制器將只與一個(gè)內存通道打交道，而且這個(gè)內存通道只能一個(gè)插槽。因此內存控制器與DDR3內存模組之間是點(diǎn)對點(diǎn)（P2P，Point-to-Point）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對雙點(diǎn)（P22P，Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數據總線(xiàn)的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類(lèi)別相類(lèi)似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（**內存緩沖器）。不過(guò)目前有關(guān)DDR3內存模組的標準制定工作剛開(kāi)始，引腳設計還沒(méi)有終確定。