高低溫試驗測試流程：

　　1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個(gè)小時(shí);

　　請勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測試，非常重要，因為通電狀態(tài)下，芯片本身就會(huì )產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過(guò)低溫測試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測試。

　　2、開(kāi)機，對樣品進(jìn)行性能測試，對比性能與常溫相比是否正常。

　　3、進(jìn)行老化測試，觀(guān)察是否有數據對比錯誤。

　　4、升溫到+90°C，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測試相反，升溫過(guò)程不斷電，保持芯片內部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執行2、3、4測試步驟。

　　5、高溫和低溫測試分別重復10次。

　　如果測試過(guò)程出現任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測試失敗。