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所在地: | 廣東 深圳 |
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發(fā)布時(shí)間: | 2023-12-15 15:25 |
最后更新: | 2023-12-15 15:25 |
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安車(chē)昇輝檢測第三方機構性測試實(shí)驗室擁有CNAS和CMA資質(zhì)。測試項目包括:防水防塵測試、振動(dòng)、機械沖擊、高壓蒸煮、包裝跌落,恒溫恒濕,冷熱沖擊、氣體腐蝕、鹽霧、氙燈老化、抗拉強度、硬度、拉伸強度、高低溫測試等服務(wù)。如若您有關(guān)于檢測認證的問(wèn)題可以咨詢(xún)我們,我們將為您解答,服務(wù)至您滿(mǎn)意為止!
高低溫環(huán)境試驗分為高溫工作、低溫工作、低溫貯存、高溫貯存測試類(lèi)型。
實(shí)驗室具備從0.2m3至16m3的不同大小尺寸的高低溫溫度試驗系統,具備獨立的搭接樣品的空間,試驗箱一側均具備出線(xiàn)端子,可以引出電源線(xiàn)或信號線(xiàn)進(jìn)行產(chǎn)品的工作操作試驗。
高低溫測試試驗是用來(lái)確認產(chǎn)品在溫濕度氣候環(huán)境條件下儲存、運輸、使用的適應性。
高低溫測試試驗的嚴苛程度取決于高/低溫、濕度和曝露持續時(shí)間。
高低溫High and low temperature testing試驗方法:
預處理:將被測樣品放置在正常的試驗大氣條件下,直至達到溫度穩定。
初步檢測:將測試樣品與標準要求進(jìn)行比較,滿(mǎn)足要求后直接放入高低溫試驗箱。
樣品斷電時(shí),試驗樣品應按標準要求放置在試驗箱內,試驗箱(室)內溫度應降至-50℃,保持4小時(shí);不要在樣品通電狀態(tài)下進(jìn)行低溫測試,這一步非常重要,因為芯片本身在通電狀態(tài)下會(huì )產(chǎn)生20℃因此,在通電狀態(tài)下,通常更容易通過(guò)低溫試驗,必須先凍透,再通電試驗。
在低溫階段結束后5min將試驗樣品轉換為已調整的樣品90℃保持在高溫試驗箱(室)內4h或者直到測試樣品達到溫度穩定,與低溫測試相反,加熱過(guò)程不斷電,芯片內部溫度保持高溫,4小時(shí)后執行A、B測試步驟。
進(jìn)行老化測試,觀(guān)察是否存在數據對比錯誤。
高溫和低溫試驗分別重復10次。
重復上述實(shí)驗方法,以完成三個(gè)循環(huán)。根據樣品的大小和空間的大小,時(shí)間可能略有誤差。
恢復:試驗樣品從試驗箱中取出后,應在正常試驗大氣條件下恢復,直至試驗樣品達到溫度穩定。
后檢測:根據標準中的損傷程度等方法評估檢測結果。
實(shí)驗室安全按照CNAS授權檢測范圍基礎標準GB/T 2423.1-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分:試驗方法 試驗 A:低溫》 和 GB/T 2423.2-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分:試驗方法 試驗 B:高溫》標準進(jìn)行高低溫工作、高低溫貯存、高低溫極限、干冷干熱、溫度變化、高溫老化、高溫壽命、高低溫耐受性試驗技術(shù)服務(wù),出具帶有CNAS,CMA印章的第三方檢測報告。