全自動(dòng)晶圓單片式清洗機概述：

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機對MEMS和半導體等領(lǐng)域的晶圓和掩模版清洗提供了的水平，可以幫助用戶(hù)獲得zui干凈的晶圓片和掩模版。

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機提供兆聲單晶圓&掩模清洗(SWC)系統，用于的無(wú)損兆聲清洗?？梢赃m用于易受損的帶圖案或無(wú)圖案的基片，包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到*化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個(gè)基片表面，通過(guò)分布能量的zui大化支持的清洗，同時(shí)保證在樣片的損傷閾值范圍內。

提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強。SWC和LSC具備對點(diǎn)試劑滴膠系統，可以zui大程度節省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個(gè)基片上的分布。

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機通過(guò)聯(lián)合使用化學(xué)試劑滴膠和的兆聲清洗技術(shù)，系統去除顆粒的能力得到進(jìn)一步優(yōu)化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升，從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去，而把回附的數量降到了zui低水平。從基片表面被去除。如果沒(méi)有使用幅流DI水的優(yōu)勢，的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會(huì )有更大數量的顆?；馗?，并且因此需要更多的去除這些顆粒。

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機械的方式去除無(wú)圖案基片上的污點(diǎn)和殘膠。DI水臭氧化的選配項提供了有機物的去除，而無(wú)須腐蝕性的化學(xué)試劑。我們的氫化DI水系統跟兆聲能量結合可以達到納米級的顆粒去除。根據不同的應用，某些選配項將會(huì )進(jìn)一步提高設備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。

能夠就地實(shí)現熱氮或異丙醇甩干?！案蛇M(jìn)干出” 一步工藝可以在我們的系統中以zui低的投資和購置成本來(lái)實(shí)現。工藝處理時(shí)間可以在3-5分鐘內完成，具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機技術(shù)也適用于清洗背部以及帶保護膜掩模版前面的對準標記，降低這些掩模版的不必要去除和重做保護膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準備表面以便再次覆膜。此外，帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉甩干可以做到無(wú)損并且對薄膜無(wú)滲漏。

SWC是一款帶有小占地面積的理想設備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機應用：

帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片

Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗

CMP處理后的晶圓片清洗

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機晶圓框架上的切粒芯片清洗

等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗

帶保護膜的分劃版清洗

掩模版空白部位或接觸部位清洗

X射線(xiàn)及極紫外掩模版清洗

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機光學(xué)鏡頭清洗

ITO涂覆的顯示面板清洗

兆聲輔助的剝離工藝

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機特點(diǎn)：

臺式系統

無(wú)損兆聲掩模版或晶圓片清洗及旋轉甩干

支持12”直徑的圓片或9”x9”方片

微處理機自動(dòng)控制

IR紅外燈

全自動(dòng)晶圓單片式清洗機選配項：

掩模版或晶圓片夾具

PVA軟毛刷清洗

化學(xué)試劑清洗(CDU)

氮氣離子發(fā)生器