HN1000B 斷路器剩余電流保護器動(dòng)作特性測試儀（分A型AC型B型F型） B型剩余電流斷路器測試儀（以下簡(jiǎn)稱(chēng)測試儀）是為剩余電流斷路器的性能測試而研制，它是檢測B型剩余電流斷路器脫扣電流和分斷時(shí)間的關(guān)鍵儀器。
測試儀適用于電子式和電磁式的剩余電流斷路器。
1P+N、2P、、+N、4P的斷路器均能測試，輸出大剩余電流為2A。
系統顯示和操作采用流行的工業(yè)級觸摸屏，操作簡(jiǎn)單； 接地方式：可靠接地   測試儀輸出的電流值為真有效值，測試不確定度小于1%； （2）50Hz交流剩余電流范圍：0~2A； 選項角為0°的脈動(dòng)直流剩余電流，電流的范圍為0~800mA； 選項角為135°的直流剩余電流，電流的范圍為0~200mA； （5）疊加平滑直流的范圍為5~100mA；  先測試出可控硅的峰值電壓，將電線(xiàn)正負極連接至K兩極，接地線(xiàn)接至室內主接地上，逐漸升壓，測試其漏電流數值。
進(jìn)行漏電測試后，逐漸升壓，觀(guān)測漏電流，當數值超過(guò)其額定峰值電壓后，可控硅被擊穿，但采用此方法可能會(huì )破壞其PN結，并且只能測試其是否導通，而不能測試其導通是否良好，故不再采用此法進(jìn)行測試。
搖表測試法用搖表對可控硅進(jìn)行測量，參照之前使用的漏電檢測法。
為防止搖表法測試過(guò)程中擊穿或損壞可控硅，改變搖表操作方法，即要對搖表電壓和轉速進(jìn)行控制，兩筆端鏈接K極對其進(jìn)行測試。
LTE測試雖進(jìn)步顯著(zhù)未來(lái)仍面臨三重關(guān)互操作測試任務(wù)仍艱巨三大運營(yíng)商3G網(wǎng)絡(luò )已完成大規模建設，新部署的LTE網(wǎng)絡(luò )在較長(cháng)時(shí)期內難以達到2G/3G網(wǎng)絡(luò )的覆蓋廣度和深度，且VoLTE目前還不夠成熟，因此LTE與2G/3G網(wǎng)絡(luò )不能孤立運行，必須通過(guò)互操作來(lái)保證業(yè)務(wù)在網(wǎng)絡(luò )之間的連續性。
LTE與2G/3G的互操作包括語(yǔ)音互操作和數據互操作。
以移動(dòng)為例，對于數據互操作，不僅要求TD-LTE與TD-SCDMA之間實(shí)現空閑態(tài)的雙向重選、連接態(tài)的雙向重定向，還要求TD-LTE與GSM網(wǎng)間實(shí)現互操作以保證業(yè)務(wù)連續性，復雜的切換場(chǎng)景對測試工作而言是艱巨的挑戰。
關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統更加。
下面是對MOSFET及MOSFET驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結，其中參考了一些資料。
在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，電壓等，電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。
這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。