自動(dòng)On-Line（軸輪式）式AP等離子處理系統CRF-APO-500W-W

型號（Model）

CRF-APO-500W-W

電源（Power supply）

220V/AC,50/60Hz

功率（Power）

2set*1000W/25KHz(Option)

處理寬幅（Processing width）

50mm-500mm（Option）

有效處理高度（Processing height）

5-15mm

處理速度（Processing speed）

0-5m/min

傳動(dòng)方式（Drive mode）

防靜電絕緣滾輪

噴頭數量（Number）

2（Option）

工作氣體（Gas）

Compressed Air（0.4mpa）

產(chǎn)品特點(diǎn)：配置運動(dòng)控制平臺，PLC+觸摸屏控制方式，采用運動(dòng)模組，操作簡(jiǎn)便；

可選配噴頭數量，滿(mǎn)足客戶(hù)多元化需求；

配置集塵系統，保證產(chǎn)品品質(zhì)和設備的整潔、干凈；

應用范圍：主要應用于電子行業(yè)的手機殼印刷、涂覆、點(diǎn)膠等前處理，手機屏幕的表面處理；工業(yè)的航空航天電連接器表面清洗；通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷、轉移印刷前處理等。

等離子清洗設備可根據污染物的類(lèi)型采用不同的清洗方法

等離子清洗是通過(guò)化學(xué)和物理作用從分子層(一般厚度為3~30nm)中去除污染物，提高工件表面活性的技術(shù)。所去除的污染物可能是有機物，環(huán)氧樹(shù)脂，光刻膠，氧化物，微粒污染物等。電漿處理可以根據污染物的類(lèi)型采用不同的清洗方法。

1、灰化表面有機層

污染物在真空和瞬時(shí)高溫下蒸發(fā)，被高能離子粉碎，從真空中排出。

UV輻射破壞污染物，等離子處理每秒只能穿透幾納米，所以污染層不厚。指紋也適用。

2、氧化物去除

這一過(guò)程包括使用氫氣或氫氣和氬氣的混合物。有時(shí)也可以采用兩步法。首先把表面氧化5分鐘，然后用氫氣，氬氣的混合物去除氧化。各種氣體也可同時(shí)進(jìn)行處理。

3、焊接

一般情況下，印刷電路板焊接前應使用化學(xué)藥劑。這些化學(xué)物質(zhì)必須在焊接后用等離子法去除，否則會(huì )導致腐蝕等問(wèn)題。

等離子清洗設備的原理是：真空狀態(tài)下，壓強減小，分子間的距離增大，分子間的作用力減小，利用射頻源產(chǎn)生的高壓交變電場(chǎng)，將氧氣、氬、氫等技術(shù)氣體沖洗成反應活性高、能量大的離子，與有機污染物和微粒體污染物反應或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，工作氣流和真空泵去除揮發(fā)性物質(zhì)，實(shí)現表面清潔活化。它是一種徹底的剝離清洗方法，具有清洗后無(wú)廢液、金屬、半導體、氧化物和大多數聚合物材料處理良好、整體、局部和復雜結構清洗的優(yōu)點(diǎn)。

等離子清洗是通過(guò)化學(xué)或物理作用對工件表面進(jìn)行處理，實(shí)現分子水平的污染物去除（一般厚度為3～30nm），從而提高工件表面活性。被清除的污染物可能為有機物、環(huán)氧樹(shù)脂、光刻膠、氧化物、微顆粒污染物等。對應不同的污染物，應采用不同的清洗工藝，在這種情況下，等離子處理可以產(chǎn)生以下效果：

污染物在真空和瞬時(shí)高溫下的部分蒸發(fā)，污染物被高能離子粉碎并被真空帶走。

紫外輻射破壞污染物，由于等離子體處理每秒鐘只能穿透幾納米，所以污染層不應該太厚。指紋也適用。

這種處理包括使用氫或氫和氬的混合物。有時(shí)也采用兩步流程步是用氧氣氧化表面5分鐘，第二步是用氫和氬的混合物除去氧化層。它也可以同時(shí)用幾種氣體處理。

通常，印刷電路板應在焊接前用化學(xué)藥劑處理。焊接后，這些化學(xué)物質(zhì)必須用等離子體法去除，否則會(huì )引起腐蝕和其他問(wèn)題。

等離子清洗設備的原理是在真空狀態(tài)下，壓力越來(lái)越小，分子間間距越來(lái)越大，分子間力越來(lái)越小，利用射頻源產(chǎn)生的高壓交變電場(chǎng)將氧、氬、氫等工藝氣體震蕩成具有高反應活性或高能量的離子，然后與有機污染物及微顆粒污染物反應或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達到表面清潔活化的目的。是清洗方法中徹底的剝離式清洗，其優(yōu)勢在于清洗后無(wú)廢液，特點(diǎn)是對金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料等都能很好地處理，可實(shí)現整體和局部以及復雜結構的清洗。