西門(mén)子模塊 6ES7288-7DP01-0AA0 西門(mén)子模塊 6ES7288-7DP01-0AA0

6ES7288-7DP01-0AA0 SIMATIC S7-200 SMART，ROFIBUSDP 從站模塊，9.6KB 至 12MB， 1 個(gè) PROFIBUS DP/MPI 接口

低壓斷路器

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處于靜電平衡狀態(tài)的導體，其電荷分布有以下特點(diǎn)：

??(1)導體內，體電荷密度處處為零，電荷只分布在導體表面上。這個(gè)特性由靜電平衡條件和高斯定理很容易證明。由于靜電平衡時(shí)導體內處處場(chǎng)強E=0，所以府導體內任意閉合曲面S所包圍的體積V，高斯定理均給出

??故有p=0，因而導體上的電荷只能分布在它的表面上。

??(2)導體表面上的面電荷密度σ與該處表面外附近的場(chǎng)強E在數值上成比例，即σ=e。E 在導體表面上任意一點(diǎn)P處取一個(gè)這樣的高斯面以與P點(diǎn)處表面平行的導體內、外附近兩個(gè)小面元△S為底面，側面垂直于表面的小圓柱面S如圖2.3所示。注意到導體內E=0，導體外表面附近的E垂直于表面，由高斯定理得，

??(3)σ=enE只是告訴我們導體表面上每點(diǎn)的電荷密度與其附近場(chǎng)強之間有對應關(guān)系，它并不能告訴我們導體表面上電荷究竟怎樣分布，要對導體表面上的電荷分布進(jìn)行定量研究，是一個(gè)比較復雜的問(wèn)題，它與諸多因素有關(guān)，如周?chē)矬w的分布情況，周?chē)姾?、電?chǎng)的分布情況，導體的幾何形狀等，但對孤立帶電導體來(lái)說(shuō)，其表面電荷分布確有如下定性規律∶孤立導體表面上的面電荷密度σ與所在處表面的曲率有關(guān)，表面凸出而尖銳的地方，也就是表面曲率大的地方，面電荷密度o 大表面平坦即曲率小的地方，面電荷密度σ小表面凹進(jìn)去的地方，即曲率為負值的地方，面電荷密度σ更小，但面電荷密度σ與表面曲率之間并不存在單一的函數關(guān)系，

??由于導體附近的場(chǎng)強大小E與面電荷密度o成正比，所以孤立導體外表面附近的場(chǎng)強也有同樣的規律，即導體jianduan附近場(chǎng)強強，平坦的地方次之，凹進(jìn)去的地方最弱，

??導體jianduan附近的場(chǎng)強特別強，它導致的一個(gè)重要結果是jianduan放電，由于導體jianduan附近的強電場(chǎng)作用，會(huì )使空氣中殘留的離子加速運動(dòng)，加速后的離子同其他空氣分子碰撞，使其電離，從而導致大量新離子的產(chǎn)生，使空氣變得易于導電。同時(shí)，離子中與jianduan上電荷電性相反的離子不斷被吸引到j(luò )ianduan，與jianduan上的電荷中和，即形成所謂的jianduan放電。jianduan放電時(shí)，由于離子同空氣分子碰撞會(huì )使分子處于激發(fā)狀態(tài)，從而產(chǎn)生光輻射，形成可以看得見(jiàn)的光暈，叫做電暈。電暈的出現浪費電能，因此在高壓輸電中應盡量避免。

??jianduan放電的典型應用是大家所熟悉的避雷針。通過(guò)它使接近地面的帶電云層和地面感應電荷之間建立一個(gè)導電通路，以持續不斷地局部通電中和方式避免帶電云層電荷和地面感應電荷的大量積累，使帶電云層與地面感應電荷間的強烈火花放電即雷擊現象免于發(fā)生。

??

導體jianduan能產(chǎn)生強電場(chǎng)這一現象，在現代科學(xué)技術(shù)中有相當廣泛的應用。如圖2.4所示的場(chǎng)致發(fā)射顯微鏡示意圖，它是一個(gè)抽真空后充入少量氦氣的玻璃泡，內部封裝上一根待測其微觀(guān)結構的金屬細針，針尖做得非常細，其直徑約為1000A。玻璃泡內壁上涂有熒光導電透明薄膜，并使其接地。當金屬針上加上高壓后，金屬jianduan產(chǎn)生的強電場(chǎng)能使與jianduan碰撞的氦原子中的一個(gè)電子被剝去，并使剩下的帶正電荷的氦離子沿電場(chǎng)線(xiàn)射向熒光壁，使熒光壁上產(chǎn)生一個(gè)光點(diǎn)。落在熒光壁上發(fā)光點(diǎn)處的氦離子，在很高的近似程度上，可看作是發(fā)源于徑向電場(chǎng)線(xiàn)的另一端，這樣，根據熒光壁上發(fā)光點(diǎn)的位置，可推斷出金屬jianduan的個(gè)別

??原子的位置。利用這種裝置，可以從熒光壁上的光點(diǎn)圖樣分析出制成金屬針的金屬樣品的原子排列情況。這種分析金屬微觀(guān)結構的裝置叫做場(chǎng)致發(fā)射顯微鏡，它的放大率可高達200萬(wàn)倍，比zuihao的電子顯微鏡還高。

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