臺達UPS電源GES-EH15K塔式15KVA詳細簡(jiǎn)介

　　臺達GES-EH15K 高頻穩壓UPS電源 15KVA 12KW 在線(xiàn)式不連續電源

　　品牌:Delta/臺達，型號:EH15K

　　技術(shù)參數

　　控制方式：微處置控制技術(shù)

　　輸入電壓：?jiǎn)蜗?20V±15%，50HZ 三相380V±15%，50HZ

　　額定容量：?jiǎn)蜗?0A~450A（2.2KVA~100KVA）

　　三相3×10A~3×760A(6.6KVA~5.5KVA)

　　節能效果:工業(yè)企業(yè)8%~15%，商業(yè)企業(yè)10%~20%，中文顯現界面,可編輯各種運轉參數

　　波形畸變:無(wú)

　　旁路切換:有手動(dòng)或自動(dòng)旁路切換不時(shí)流

　　絕緣電阻:10MΩ

　　絕緣耐壓：3000V AC 60秒無(wú)閃路

　　工作環(huán)境：溫度-20~+40°C，溫度≤93%，無(wú)腐蝕合體及導電粉塵

　　電磁兼容性：結導騷擾：

　　輻射騷擾：契合IEC61000國際規范

　　維護功用：欠壓、過(guò)載、缺相、防雷維護等

　　可提供規范RS232/485規范接口，便當與計算機銜接，為功用效率管理提供技術(shù)平臺。

　　當勵磁電流為-im（t3）時(shí)，關(guān)斷M2.由于鉗位電容Cr和結電容C1的存在，兩端電壓不能突變，因而M2零電壓關(guān)斷。開(kāi)關(guān)模態(tài)6M2關(guān)斷后，勵磁電流流過(guò)C1，C1開(kāi)端放電，勵磁電流繼續反向增加。開(kāi)關(guān)模態(tài)7結電容C1電壓有繼續降落的趨向，原邊電壓為正，副邊繞組電壓也變?yōu)檎?，M3開(kāi)通，M4繼續導通。由于原邊電流太小，不能提供負載電流。因而同步整流管同時(shí)導通，副邊電壓鉗位至零，原邊電壓也為零，變壓器的勵磁電流堅持不變。t7時(shí)辰，開(kāi)端下一個(gè)周期。

　　變換器中集成磁件的推導與剖析依據變換器的工作原理可知，變壓器的原邊繞組電壓Vab，副邊繞組電壓Vcd和繞組電壓Vce的脈寬相同、一直同向，只是電壓比值隨輸入電壓而變化

　　性能特性：

　　●自主專(zhuān)利的MMBM電池管理技術(shù)

　　自主產(chǎn)權的智能化多形式電池管理系統，綜合了傳統恒壓充電、恒流充電、二階段充電等充電方式的優(yōu)點(diǎn)，采用微處置器控制技術(shù)對電池停止多形式管理，進(jìn)步UPS電源的充電效能，延長(cháng)電池的運用壽命。

　　完善的電池管理功用

　　·無(wú)風(fēng)險雙形式電池在線(xiàn)測試功用

　　·充電電壓溫度補償功用

　　·電池放電終止電壓智能調理功用

　　·電池極性反接維護和告警

　　·電池定期自動(dòng)放電激活

　　·自動(dòng)設定充電電流功用

　　·重要操作密碼鎖定

　　集成磁件的磁路剖析令51，52，53所經(jīng)過(guò)磁路的磁阻分別為R1，R2，R3，依據文獻<3>和<5>樹(shù)立磁件等效電路的辦法對所示的磁件停止推導。在磁件等效電路中，該電路可用于磁件的仿真研討。磁件的等效電路推導如所示。集成磁件繞組排列基于制造工藝復雜水平的緣由，薄膜集成磁件的變壓器繞組構造采用基于普通變壓器的繞組構造<7-10>.同樣，繞組也采用PCB<6>，PCB的繞組構造如示。

　　該集成磁件是一個(gè)3繞組的磁件，其中變壓器原邊、副邊和電感的匝數比為NPBNSBNL.為了降低PCB繞組制造工藝的難度，原邊繞組和副邊繞組設計為各4層，電感繞組設計為8層，變壓器原、副邊繞組每層均有2匝扁平狀銅箔線(xiàn)圈，如（a）、（b）所示；電感繞組每層均有1匝扁平狀銅箔線(xiàn)圈如（c）所示。

　　1.死心為硅鋼片條料卷制而成的無(wú)接縫不分級的接近純圓形截面。鐵軛，死心柱聯(lián)合為圓角，死心為封鎖形。

　　2.高、低壓線(xiàn)圈直接繞在死心上，兩線(xiàn)圈同心度好，抗短路性才能好。

　　3.由于死心構造特殊，又呈由晶態(tài)取向優(yōu)質(zhì)冷軋硅鋼片卷制經(jīng)退火而成，使S11-M.R變壓器與同容量S9型相比空載損耗降落30%,空載電流降落70%,嘈聲降落8分貝左右。

　　4.取消儲油柜。采用波紋板油箱，溫度惹起的油體積變化由波紋片的彈性調理使變壓器油與空氣隔絕延長(cháng)運用奉命。

　　5.采用波紋油箱溫升占空中積小，外形美觀(guān)。

　　6.死心加工全部機械化,減輕勞動(dòng)強度,使產(chǎn)質(zhì)量量進(jìn)步,質(zhì)量穩定。

　　這樣設計能夠使制造薄膜磁件時(shí)填充絕緣層變得相對容易，也有利于磁件在工作中所受應力的左右均衡，使磁件構造相對穩定。原邊繞組的4層互相之間串聯(lián)，共8匝；副邊繞組的4層中每個(gè)構造相同的2層互相并聯(lián)，然后串聯(lián)，構成2匝的副邊繞組；電感繞組的8層中每個(gè)構造相同的4層互相并聯(lián)，然后串聯(lián)，構成2匝的電感繞組。繞組之間經(jīng)過(guò)/通孔0和/過(guò)孔0互相聯(lián)合。這樣就得到了變比為8B2B2的3繞組集成磁件。按照上述設計過(guò)程，就能夠得到滿(mǎn)足請求的集成磁件繞組排列構造，如所示。

　　但是，原先的等效模型以及參數的設計，都是按照EI型3柱磁芯來(lái)設計的，當磁芯變成4柱磁芯以后，為了使原先的推導和計算過(guò)程依然有效，必需保證磁件在等效變換前后滿(mǎn)足一定條件。由于本集成磁件的磁芯采用磁導率十分大的新型磁性資料，所以，各個(gè)磁路磁阻主要由氣隙大小決議，磁性資料自身磁阻遠遠小于氣隙磁阻，所以，疏忽集成磁件磁芯的等效變換過(guò)程磁性資料自身的磁阻。（a）所示為原集成磁件的等效磁路，其中2號磁柱上沒(méi)有繞組，其磁阻為R2；現將磁阻R2變?yōu)?個(gè)磁阻R21和R22并聯(lián)，從而將2號磁柱等效為2個(gè)磁柱并聯(lián)，如（b）所示；在（b）根底上將磁阻R21和R22所在的磁柱挪動(dòng)到磁件兩側，等效磁路如（c）所示。

　　由以上剖析可知，在保證R2=R21//R22前提下，各繞組的勵磁和耦合關(guān)系不會(huì )發(fā)作變化，在變換前后磁芯的作用是等效的，從而按照EI型三柱磁芯的參數的設計、公式推導和計算過(guò)程依然有效。由等效磁路（c）得出的四柱磁芯構造如所示。