四點(diǎn)探針是測量材料薄層電阻最常用的設備。
薄層電阻是材料的電阻率除以其厚度，表示通過(guò)導電/半導體材料的薄正方形的橫向電阻。
該測量使用排列成一行的四個(gè)探針，每個(gè)探針之間的間距相等。
電流在外部?jì)蓚€(gè)探針之間通過(guò)，導致內部?jì)蓚€(gè)探針間的電壓降低。
通過(guò)測量電壓的這種變化，可以計算出薄層電阻。
Ossila四點(diǎn)探針系統是一種易于使用的工具，用于快速測量材料的薄層電阻、電阻率和電導率。
Ossila四點(diǎn)探針以Ossila源測量單元為核心，是一種低成本的系統，可實(shí)現寬的測量范圍。
探頭使用彈簧加載觸點(diǎn)而不是尖銳的針頭，防止損壞精細的樣品，例如厚度在納米量級的聚合物薄膜。
價(jià)格包括一個(gè)四點(diǎn)探針、內置源測量單元、易于使用的PC軟件和一個(gè)ITO涂層玻璃基板。
測量薄層電阻，以增強其材料特性和薄膜開(kāi)發(fā)計劃的能力。
四點(diǎn)探針能夠提供1μA至200 mA之間的電流，可以測量低至100μV至10 V的電壓。
該系統可以測量100 mΩ范圍內的薄層電阻/□ 至10 MΩ/□, 使得能夠表征廣泛的材料。
四點(diǎn)探頭的設計考慮到了精細樣品的測量，采用鍍金、柔和的彈簧加載觸點(diǎn)和圓形jianduan。
這導致60克的恒定接觸力，防止探針刺穿脆弱的薄膜，同時(shí)仍然提供良好的電接觸。
四點(diǎn)探針測量規格：電壓范圍：±100μV至±10 V電流范圍：±1μA至±200 mA（5個(gè)范圍）薄層電阻范圍：100 mΩ/□ 至10 MΩ/□ （歐姆/平方）薄層電阻準確度jingque度測量范圍100 mΩ/□±8%±3%200 mA1 Ω/□±2%±0.5%200 mA10 Ω/□±1%±0.5%200 mA100 Ω/±1%±0.05%20 mA1 kΩ/□±1%±0.03%20 mA10 kΩ/□±1%±0.02%2000 μA100 kΩ/□±2%±0.05%200 μA1 MΩ/□±8%±0.5%20 μA10 MΩ/□±30%±5%20 μA 探頭間距1.27 mm（0.05“）矩形樣本大小范圍長(cháng)邊最小值：5 mm（0.20“）短邊最大值：60 mm（2.36“）圓形樣品尺寸范圍（直徑）5 mm至76.2 mm（0.20“x 3.00”）最大樣品厚度10 mm（0.39“）外形尺寸（寬x高x長(cháng)）145mmx 150mmx 240mm（5.71英寸x 5.91英寸x 9.45英寸）請注意，該系統不適用于硅或其他自然形成絕緣氧化物層的材料。
為了測量這種材料，氧化物層需要被探針穿透，這對于該系統使用的彈簧加載的圓形jianduan探針來(lái)說(shuō)可能是不可能的。